近日，西安交通大学微电子学院教授刘明团队及合作者，摒弃了传统设计策略，将超介电用于高温储能电容器设计。相关研究成果发表于《自然-通讯》。

介电电容器凭借超快的充放电速率和超高的功率密度，已成为电子设备和脉冲功率系统的关键部件。然而，随着功率电子转换技术朝着高频、微型化方向发展，功率密度不断提升，电容器往往会在高于200摄氏度的环境下工作，而目前主流商业薄膜电容器仅能在105摄氏度以下工作，远远达不到现代工业发展的要求，因此迫切需要开发一种在宽温范围内性能稳定且具有高储能密度的下一代介电储能电容器。

研究团队在相场模拟指导下，构思并制备了以宽禁带HfO2为第二相、以BaHf0.17Ti0.83O3弛豫铁电为基体的自组装超介电纳米结构。实验结果表明，这种超介电结构不仅能大幅提高薄膜击穿场强，提升弛豫性，还能有效抑制高温下薄膜泄漏电流并显著降低传导损耗，将电容器的工作温度提高到400摄氏度，并在零下150摄氏度至400摄氏度的宽温度范围内，具有极高的温度稳定性。在400摄氏度时，电容器储能密度可达每立方厘米85焦耳，储能效率超过81%，且经过100万次充放电循环后，储能特性的变化率小于2%，表现出优异的高温储能特性。

这项工作不仅展示了超介电在耐高温电容器中的潜在应用价值，还为设计耐高温介电电容器提供了一种通用策略。

相关论文信息：https://doi.org/10.1038/s41467-024-50832-w

原文刊登于2024年8月19日《中国科学报》 第3版

报道链接：https://news.sciencenet.cn/sbhtmlnews/2024/8/380841.shtm