近日，由教育部高教司主办、拔尖计划2.0秘书组承办的第二届“提问与猜想”活动落幕。西安交大物理试验班大四学生吴昊俣、任文涵参赛的“铪基FinFET及相关二维铪基材料铁电性的模拟”项目荣获一等奖。

第二届“提问与猜想”活动由教育部组织，依托“拔尖计划2.0”全国线上书院举办，活动面向77所拔尖计划2.0实施高校的学科基地在校本科生开展，旨在引导学生面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求，发现和提出原创性问题、应答挑战性问题，以思维创新、方法创新、理论创新激发科学兴趣、探索未知世界。活动分为高校推荐、专家评审和答辩交流三个环节，共有101个参赛项目，经过激烈角逐，最终18个优秀项目脱颖而出。吴昊俣和任文涵的参赛项目荣获一等奖。

吴昊俣、任文涵参赛的项目是在物理学院冯俊老师指导下进行的。项目利用SilvacoTCAD对FinFET模型进行仿真，结果表明负电容铪基FinFET具有高开关比和更陡亚阈值摆幅的优点。当栅压为1.0V时，铪基FinFET的漏极电流是硅基FinFET的3.52倍，开/关电流比也由3.9×10^5提升至1.5×10^6。此外，项目还利用VASP对二维二氧化铪插入层进行了模拟以显示铁电性，证明了使用二维二氧化铪插入层达到负容量FinFET的正确性。