作为第三代半导体材料的代表，金刚石半导体又被称为终极半导体。近日，西安交大科研团队采用自主研发技术，成功实现2英寸抑制外延单晶金刚石自支撑衬底的量产。

金刚石具有卓越的热导率、宽禁带和品质因子，适用于制造超薄、高速和低功耗的电子器件。10年前，国内的金刚石半导体研究几乎是空白，也就是在这时，王宏兴教授作为引进人才归国，在西安交通大学组建宽禁带半导体材料与器件研究中心。金刚石半导体可以克服现有半导体的“自热效应”和“雪崩击穿”的瓶颈，大尺寸单晶金刚石衬底的制备技术和高质量金刚石衬底的制备技术，是我们需要攻克的关键技术。经过十年的钻研，西安交大宽禁带半导体材料与器件研究中心已经形成具有自主知识产权的金刚石半导体设备研发等系列技术或授权48项专利。依托秦创原创新驱动平台，终于实现了2英寸金刚石的产业化。在国内率先实现了2英寸单晶金刚石的制备技术，填补了国内空白，目前的指标已经优于国外最好水平，生产的单晶金刚石材料已经广泛应用于我国5g通讯，为高频、 大功率探测企业提供了核心材料与技术支撑。

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