6月10日至14日，由西安交通大学主办的“单晶金刚石及其电子器件国际研讨会”在西安交通大学南洋大酒店隆重召开,来自不同国家和地区的一百三十余位专家学者参加了此次国际研讨会。

此次会议旨在为单晶金刚石及相关材料和器件等相关领域的专家、学者、技术人员及企业家等提供学术交流平台，加强国内外同行业之间的相互了解和合作，共同促进国际单晶金刚石材料及其电子器件行业及相关行业的蓬勃发展。通过与国内外各相关领域专家学者的交流，借此了解新型超宽禁带半导体——单晶金刚石及其电子器件研究领域的最新进展，为发展新的实验方法、理论并凝炼关键科学问题提供依据，全面推动以宽禁带半导体材料为基础的跨学科、跨领域的深入实质性的合作，促进我国单晶金刚石半导体材料及其电子器件研究平台的建设，并通过共同努力，拓展该类先进电子材料与器件的应用与成果转化。

超宽禁带半导体——单晶金刚石集电学、光学、力学、声学和热学等优异特性于一体，在高温、高效、超大功率毫米波电子器件，电力电子器件，生物传感器，光电探测与成像，粒子探测与成像，航空航天等系统方面有着极其重要的应用前景，被业界誉为“终极半导体”。金刚石电子器件相比其他半导体器件还具有体积小、集成度高和无需制冷的优势。在节能减排、打造绿色地球方面将发挥其独特的优势，将引发新一代半导体技术的革命。

大会开幕式由王宏兴教授主持，早稻田大学川原田洋教授致辞，共同期望此次大会圆满召开，促进国际单晶金刚石及其电子器件领域的产学研合作交流，并为我国相关产业的发展提供良好的契机。

此次大会由国内外50余位金刚石及相关材料与器件领域的专家做了大会报告和相关学术报告。早稻田大学川原田洋教授、日本NIMS小出康夫教授、北京大学沈波教授、以色列理工大学Alon Hoffman教授分别报道了各自团队的最新研究进展；德岛大学敖金平教授、西北工业大学樊慧庆教授、清华大学王燕教授、浙江工业大学胡晓君教授、济南大学杨萍教授等分别报道了国内单晶金刚石研究的最新研究进展。我校宽禁带半导体材料与器件中心主任王宏兴教授介绍了我校在单晶金刚石快速生长、电子器件级单晶金刚石外延生长、金刚石基日盲紫外探测和金刚石基功率电子器件方面的最新研究进展，获得与会代表的高度评价。