近日，新型微系统核与空间辐射效应研讨会在创新港举办。研讨会在中国核学会的指导下由西安交通大学、中国核学会辐射物理分会、强脉冲辐射环境模拟与效应全国重点实验室联合主办，西安交通大学核科学与技术学院、微电子学院、微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术创新团队联合承办。研讨会聚焦系统级芯片（SoC）、系统级封装（SiP）等新型微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术研究，汇聚全国新型微系统“产学研用”领域70余名专家学者共商发展大计。

研讨会由西安交通大学核科学与技术学院贺朝会教授、微电子学院副院长张国和教授、核科学与技术学院党委书记臧航教授共同发起，得到了中国核学会辐射物理分会理事长/西北核技术研究院陈伟研究员的大力支持。中国航天科技集团九院技术首席研究员赵元富、中国科学院新疆理化所研究员郭旗，中国科学院微电子所研究员韩郑生、罗家俊，中国科学院近代物理所研究员杜广华、西安微电子技术研究所研究员刘曦、西北核技术研究院研究员丁李利、中国工程物理研究院电子工程所研究员钟乐等国内知名专家与会。赵元富研究员代表行业致辞。

研讨会邀请刘曦、罗家俊、杜广华等16位行业专家进行了专题报告。各位专家分享了晶圆级封装高性能微系统辐射效应、SOI技术在核与空间微系统的应用前景、高能重离子微束SEE实验技术、系统级辐射耦合机制、SiP微系统新型架构设计、激光聚变高剂量率辐射源应用等最新研究成果。西安交通大学助理教授李洋代表团队作《新型微系统的辐照效应研究进展及展望》报告，介绍了学校微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术创新团队在SoC、SiP器件辐射效应实验、仿真与加固技术方面的系列研究成果，汇报了西安交通大学“微系统辐射效应与抗辐射加固关键技术”创新团队的建设情况。

大会研讨阶段，专家们深入交流、凝聚共识，大家表示，新型微系统在核与空间辐射环境下的可靠应用，是我国航天强国、核工业高质量发展的重要支撑。微系统辐射效应与抗辐射加固研究已从“必须做”的共识阶段，迈入“怎么做得细、做得深、做得实”的深化发展新阶段，亟待各单位和行业专家、学者共同努力，协同攻关。

此次研讨会立足新型微系统在核与空间环境中的发展与应用，凝聚了各方共识，共同推动我国新型微系统辐射效应与抗辐射加固技术的创新发展。