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首届IEEE宽禁带功率器件与应用国际会议在西安举行
来源:交大新闻网 日期 2018-05-25 18:30 点击:

首届亚洲宽禁带功率器件及应用会议(WiPDA Asia)5月17-19日在陕西省西安市举行。大会围绕宽禁带功率器件、封装、应用等领域的关键问题及发展趋势展开学术交流,IEEE 电力电子协会主席Alan Mantooth教授担任大会荣誉主席,中国科学院院士郝跃、教育部长江学者刘进军共同担任大会主席。会议由IEEE 电力电子协会主办,西安交通大学和西安电子科技大学共同承办,中国电源学会、第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)、北方工业大学协办。

本次大会延续WiPDA会议的学术特色,采用多样的交流形式,包括青年论坛、专题报告、特邀报告、分会场报告、学术论文张贴和企业展示等多种形式。会议邀请了包括美国工程院院士、德国科学院院士、中国科学院院士、IEEE Fellow、中国电源学会理事长、IEEE 电力电子协会主席和副主席、IEEE JESTPE主编等十余位世界顶级行业专家奉上精彩报告。WiPDA Asia 2018参会人数超过550人,其中工业界代表160余人,高校教师150余人。来自英国诺丁汉大学、英国剑桥大学、美国阿肯色大学、美国弗吉尼亚理工大学等境外知名研究机构30余人参加了此次会议。此外会议共收到投稿170篇,审稿后接收文章112篇。

Alan Mantooth教授、吴玲女士致开幕辞

开幕式上,IEEE 电力电子协会主席Alan Mantooth教授、第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲女士、西安交大国际处处长贺长中分别致辞。刘进军教授主持开幕式。

Fred C. Lee教授作“Is GaN a Game Changer?”报告

十余位世界顶级行业专家分别从宽禁带器件制备、功率器件封装、高效转换电路设计、新能源应用等主题作了特邀大会报告,内容丰富、观点新颖的报告为现场听众奉献了一场思想和学术的盛宴。他们包括:美国国家工程院院士、中国工程院外籍院士、弗吉尼亚理工大学Fred C. Lee教授,IEEE电力电子协会主席、阿肯色大学Alan Mantooth教授,IEEE 电力电子协会副主席、奥尔堡大学Frede Blaabjerg教授,IEEE电力电子协会副主席、皇后大学Yan-Fei Liu教授,IEEE 电力电子协会前主席、诺斯洛普·格鲁门公司杰出工程师Don Tan教授,中国电源学会理事长、浙江大学徐德鸿教授等。

大会现场

青年论坛作为本次大会的特色环节,邀请了国内知名青年学者围绕宽禁带半导体器件的工艺、封装及应用问题展开内容丰富的前沿报告。国家“青年千人计划”入选者孙钱研究员、国家“青年千人计划”入选者王来利教授、青年“973”计划首席科学家张峰研究员、国家“青年千人计划”入选者王俊教授、国家优秀青年基金获得者张之梁教授等作了分享。

孙钱研究员以“GaN-on-Si Power Diodes and Normally-Off HEMTs”为题作报告

专题教育报告作为大会的重要组成部分,圣地亚哥州立大学SAE Fellow Chris Mi教授、中国科学院半导体研究所孙国胜研究员、中国西电集团中央研究院康鹏举院长、弗吉尼亚理工大学CPES陆国权教授等资深学者就宽禁带器件的应用进行深入的讲解,为各位参会者提供很好的学习平台与契机。

分会场报告环节针对电力电子领域的相关问题分为四个会场,会场主题分别为器件封装与驱动,高效转换器设计,电力电子应用等。来自全球的多个国家的参会学者进行口头报告展示,与大家共享自己的研究成果。

海报展示分为八个部分,分别为新型电路应用、电磁干扰管理、器件表征与建模、器件结构与工艺、驱动技术、软(硬)开关技术、封装技术、高效转换电路设计。海报展示部分以自由的讨论形势为参会者提供了开放、轻松的交流学习氛围。

本次会议由21世纪电源网、NE电气、电气小青年和CSEE Journal of Power and Energy Systems提供媒体支持。

文字:电气学院
编辑:程洪莉

 
 
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